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2016-11-29 15:42:08 科学百科 阅读 2 次

概念/闪存 编辑

闪存
运用闪存的数码产品

闪存是一种非易失性存储器,即断电数据也不会丢失。因

为闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM。

闪存卡(Flash Card)是利用闪存(Flash Memory)技术达到存储电子信息的存储器,一般应用在数码相机,掌上电脑,MP3等小型数码产品中作为存储介质,所以样子小巧,有如一张卡片,所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用,闪存卡大概有SmartMedia(SM卡)、Compact Flash(CF卡)、MultiMediaCard(MMC卡)、Secure Digital(SD卡)、Memory Stick(记忆棒)、XD-Picture Card(XD卡)和微硬盘(MICRODRIVE)这些闪存卡虽然外观、规格不同,但是技术原理都是相同的。

分类/闪存 编辑

按种类分

U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡

按品牌分

矽统(SIS)、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士

闪存
Sandisk

【NAND型闪存】内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512字节)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分,实际上还要加上16字节的校验信息,因此我们可以在闪存厂商的技术资

料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量,2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。

NAND型闪存以块(sector)为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页(page),容量16KB;而大容量闪存采用2KB页时,则每个块包含64个页,容量128KB。

每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条,每条数据线每次传输(512+16)bit信息,8条就是(512+16)×8bit,也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计,如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存,容量1Gb,基本数据单位是(256+8)×16bit,还是512字节。

寻址时,NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包,每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大,一组8位地址只够寻址256个页,显然是不够的,因此通常一次地址传送需要分若干组,占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址,传送时分别分组,至少需要三次,占用三个周期。随着容量的增大,地址信息会更多,需要占用更多的时钟周期传输,因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大,寻址时间越长。而且,由于传送地址周期比其他存储介质长,因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。

闪存
闪存

而比我们平常用的U盘存储量更大,速度更快的闪存产品要属PCIe闪存卡了,它采用低功耗,高性能的闪存存储芯片,以提高应用程序性能。由于它们直接插到服务器中,数据位置接近服务器的处理器,相比其它通过基于磁盘的存储网络路径来获取信息大大节省了时间。企业正在转向这种技术以解决存储密集

型工作负载,比如事务处理应用。在PCIe闪存卡方面,LSI公司新的Nytro产品,扩大其基于闪存的应用加速技术到各种规模的企业。LSI推出了三款产品,到一个正变得越来越拥挤的PCIe闪存适配器卡市场。LSI Nytro产品战略中的一部分,LSI公司的WarpDrive卡上,采用闪存存储、LSI的SAS集成控制器和来自公司收购的闪存控制器制造商SandForce的技术。其第二代基于PCIe的应用加速卡容量从200GB到3.2TB不等。Nytro XD应用加速存储解决方案的软件和硬件的组合。它集成了WarpDrive卡与Nytro XD智能高速缓存软件,以提高在存储区域网络(SAN)和直接附加存储(DAS)实现中的I/O速度。最后,还有Nytro MegaRAID应用加速卡,它结合了MegaRAID控制器与板载闪存和缓存软件,LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端,针对串行连接SCSI(SAS)DAS环境的性能增强解决方案。

微软的SQL Server产品管理主管Claude Lorenson,看好LSI的闪存产品在微软服务器环境中的未来。因为 LSI的闪存产品Nytro MegaRAID可以帮助微软SQL实现了每秒交易的10倍增长,

“闪存存储技术,如LSI的Nytro应用加速产品组合,可以用来加速关键业务应用,如SQL Server 2012”,Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在Windows Server 8中提供的增强,这些技术的重要性将继续增长。”

存储原理/闪存 编辑

要讲解闪存的存储原理,还是要从EPROM和EEPROM说起。

EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。其基本单元电路(存储细胞)如下图所示,常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为FAMOS。它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中,与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(譬如负电荷),就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使MOS管导通,即表示存入0。若浮空栅极不带电,则不形成导电沟道,MOS管不导通,即存入1。

闪存
闪存

EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似,它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅,前者称为第一级浮空栅,后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极,使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压,第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应,使电子注入第一浮空栅极,即编程写入。若使VG为负电压,强使第一级浮空栅极的电子散失,即擦除。擦除后可重新写入。

闪存的基本单元电路如下图所示,与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应,把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除,因此各单元的源极联在一起,这样,快擦存储器不能按字节擦除,而是全片或分块擦除。 到后来,随着半导体技术的改进,闪存也实现了单晶体管(1T)的设计,主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅,

在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0,无电子为1。

闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即 将有所数据归“1”。

写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做。写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅。

读取数据时,向栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于大量电子的移动,就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟道产生影响。

应用前景/闪存 编辑

闪存
闪存卡

“优盘”是闪存走进日常生活的最明显写照,其实早在U盘之前,闪存已经出现在许多电子产品之中。传统的存储数据方式是采用RAM的易失存储,电池没电了数据就会丢

失。采用闪存的产品,克服了这一毛病,使得数据存储更为可靠。除了闪存盘,闪存还被应用在计算机中的BIOS、PDA、数码相机、录音笔、手机、数字电视、游戏机等电子产品中。

追溯到1998年,优盘进入市场。接口由USB1.0发展到2.0再到最新的USB3.0,速度逐渐提高。U盘的盛行还间接促进了USB接口的推广。为什么U盘这么受到人们欢迎呢?

闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲,闪存盘的容量从16MB到64GB可选,突破了软驱1.44MB的局限性。从读写速度上讲,闪存盘采用USB接口,读写速度比软盘高许多。从稳定性上讲,闪存盘没有机械读写装置,避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。部分款式闪存盘具有加密等功能,令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧,更易于携带。且采用支持热插拔的USB接口,使用非常方便。

闪存正朝大容量、低功耗、低成本的方向发展。与传统硬盘相比,闪存的读写速度高、功耗较低,市场上已经出现了闪存硬盘,也就是SSD硬盘,该硬盘的性价比进一步提升。随着制造工艺的提高、成本的降低,闪存将更多地出现在日常生活之中。

决定因素/闪存 编辑

页数量

前面已经提到,越大容量闪存的页越多、页越大,寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系,而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号,512Mb、1Gb的需要4个周期,而2、4Gb的需要5个周期。

页容量

每一页的容量决定了一次可以传输的数据量,因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存(4Gb)提高了页的容量,从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量,更可

8gbit闪存

以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例,前者为1Gb,512字节页容量,随机读(稳定)时间12μs,写时间为200μs;后者为4Gb,2KB页容量,随机读(稳定)时间25μs,写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。

读取性能

NAND型闪存的读取步骤分为:发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit,需要传送512+16或2K+64次)。

K9K1G08U0M读一个页需要:5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs;K9K1G08U0M实际读传输率:512字节÷38.7μs=13.2MB/s;K9K4G08U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs;K9K4G08U0M实际读传输率:2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此,采用2KB页容量比512字节页容量约提高读性能20%。

写入性能

NAND型闪存的写步骤分为:发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个,我们下面将其和寻址周期合并,但这两个部分并非连续的。

K9K1G08U0M写一个页需要:5个命令、寻址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率:512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率:2112字节/405.9μs=5MB/s。因此,采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。

块容量

块是擦除操作的基本单位,由于每个块的擦除时间几乎相同(擦除操作一般需要2ms,而之前若干周期的命令和地址信息占用的时间可以忽略不计),块的容量将直接决定擦除性能。大容量NAND型闪存的页容量提高,而每个块的页数量也有所提高,一般4Gb芯片的块容量为2KB×64个页=128KB,1Gb芯片的为512字节×32个页=16KB。可以看出,在相同时间之内,前者的擦速度为后者8倍!

I/O位宽

闪存
闪存

以往NAND型闪存的数据线一般为8条,不过从256Mb产品开始,就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因,x16芯片实际应用的相对比较少,但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组,占用的周期也不变,但传送数据时就以16位为一组,带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片,它每页仍为2KB,但结构为(1K+32)×16bit。

模仿上面的计算,我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率:2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率:2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到,相同容量的芯片,将数据线增加到16条后,读性能提高近70%,写性能也提高16%。

频率

工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20~33MHz,频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时,我们假设频率为20MHz,如果我们将频率提高一倍,达到40MHz,则K9K4G08U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率:2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到,如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz,读性能可以提高近70%!当然,上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中,可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM,而不是K9XXG08U0M,前者的频率可达33MHz。

制造工艺

制造工艺可以影响晶体管的密度,也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间,它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分,尤其是写入时。如果能够降低这些时间,就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗?答案恐怕是否!实际情况是,随着存储密度的提高,需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势,否则4Gb芯片的性能提升更加明显。

综合来看,大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长,但随着页容量的提高,有效传输率还是会大一些,大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率,则是提高性能的最有效途径,但由于命令、地址信息占用操作周期,以及一些固定操作时间(如信号稳定时间等)等工艺、物理因素的影响,它们不会带来同比的性能提升。

1Page=(2K+64)Bytes;1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes;1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits

其中:A0~11对页内进行寻址,可以被理解为“列地址”。

A12~29对页进行寻址,可以被理解为“行地址”。为了方便,“列地址”和“行地址”分为两组传输,而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义,只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解,我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面,在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。

与硬盘区别/闪存 编辑

如果单从储存介质上来说 ,闪存比硬盘好 。但并不是音质上的好,是指数据传输的速度还有抗震度来说(闪存不存在抗震) 。要对比两者之间的优劣并不难, 首先理解什么是数码,知道什么是数码信号之后就该清楚数码信号通常是不受储存介质干扰的。(忽略音频流文件的误码,硬盘和闪存在这个方面可以忽略,光盘不同。) 硬盘和闪存的数据准确性都很高 ,在同样的测试条件下(相同解码相同输出...),两者音质肯定是一样的 。对于随身听来说,赞同闪存式。

1.闪存的随身听小。并不是说闪存的集成度就一定会高。微硬盘做的这么大一块主要原因就是微硬盘不能做的小过闪存,并不代表微硬盘的集成度就不高。再说,集成度高并不能代表音质一定下降。MD就是一个例子。

2.相对于硬盘来说闪存结构不怕震,更抗摔。硬盘最怕的就是强烈震动。虽然我们使用的时候可以很小心,但老虎也有打盹的时候,不怕一万就怕万一。

3.闪存可以提供更快的数据读取速度,硬盘则受到转速的限制 。

问题解决/闪存 编辑

1.什么是usb2.0

usb 2.0是usb技术的新版本。传输速率高达480mbps,是usb1.1的40倍。适合新型高速外设。它继承了usb 1.1的易用性,即插即用、免安装驱动,完全兼容usb1.1标准,您已经购买的usb1.1 设备和连接线仍然可以继续使用。

2.关于USB要知道:

USB1.1的闪存盘读速一般为630KB,写速一般为520KB;USB2.0的读速一般为1.5MB,写速一般为1.0MB

usb2.0设备接在usb1.1接口上,但受usb1.1的速度限制 发挥不了USB2.0效果。

同时使用usb2.0和usb1.1设备,在os 9.x系统中使用usb2.0设备可以,但必须安装驱动程序;但是这些操作系统并不支持usb2.0,该设备在这些系统中只能工作在usb1.1模式

6.读写闪存盘时,是否可以运行其它应用程序?

可以。

7.闪存盘可擦写多少次?闪存盘里的数据能保存多久?

闪存盘可擦写1000000次,闪存盘里数据可保存10年

8.一台电脑可同时接几个闪存盘?

理论上一台电脑可同时接127个闪存盘,但由于驱动器英文字母的排序原因 以及现有的驱动器需占用几个英文字母,故闪存盘最多只可以接23个(除开 A、B、C) 且需要USB HUB的协助。

9.闪存盘在DOS状态下能否使用

闪存盘支持WINDOWS虚拟DOS方式(启动Windows后在附件中进入)。

10.闪存盘支持WINDOWS 95吗

闪存盘不支持WINDOWS 95操作系统,建议用户升级操作系统至WINDOWS98或以上版本。

11.WINDOWS NT4.0下闪存盘如何使用

12.闪存盘可以在什么驱动程序下使用?

A9 Windows98、Windows ME、Windows 2000、Windows XP、Windows7、Windows8、Windows8.1、MAC OS、Linux。

13.闪存盘是否需要驱动程序?

在Mac OS 、Windows 2000以上版本上不需要,在Win 98上需要驱动程序

14.闪存盘可以在Windows 98 / Windows 2000 / Mac OS下被格式化吗

可以。

15.闪存盘的内容能否加密?

可以。

16.闪存盘在局域网里是否可以共享?

可以。

17.闪存盘可以存储哪些类型的数据?

所有电脑数据都可以存储,包括文件、程序、图象、音乐、多媒体等。

18.安装闪存盘时是否需要关闭电脑?

不需要,闪存盘是即插即用型产品,可以进行插拔。

19.闪存盘可以防水吗?

闪存盘是电子类产品,掉入水中后可能会造成闪存盘内部短路而损坏。

20.插拔闪存盘时,有哪些注意事项

当闪存盘指示灯快闪时,即电脑在读写闪存盘状态下,不要拔下闪存盘;当插入闪存盘后,最好不要立即拔出。特别是不要反复快速插拔,因为操作系统需要一定的反应时间,中间的间隔最好在5秒以上。

21.闪存盘是否会感染病毒?

闪存盘像所有硬盘一样可能感染病毒

22.闪存盘用于桌面电脑时,并且USB接口在电脑的后面时,有什么办法使之更方便?

通过一条USB转接电缆(具有 A-Type Plug and A-Type Receptacle)与电脑连接

23.存盘的LED灯显示表示什么含义?

当LED灯亮的时候,它表示闪存盘连接成功暂时没有数据传输。当LED闪烁的时候,它表示闪存盘正在数据传输过程中。

24.当闪存盘的LED还在闪时,是否可以拔出闪存盘?

不可以。会使闪存盘的数据丢失或使FAT表破坏且出现蓝屏。当操作系统读闪存盘时它会使电脑出现蓝屏。

25.闪存盘上的文件出现乱码或文件打不开

使用闪存盘专用工具做格式化

26.双击闪存盘盘符时,电脑提示闪存盘需格式化

当闪存盘分区表遭到破坏或是闪存盘性能不稳定时,会出现上述现象。出现这种问题,一般可以使用闪存盘专用工具做格式化

27.闪存盘写保护不起作用,在写保护关锁状态,数据也能够顺利写入。

28.切换闪存写保护开关,需要在断开与电脑的联接的状态下进行。如果是在与电脑联接状态下切换了写保护开关,需要重新插拔一次闪存,才能切实使切换起作用。

磁荷随机存储器

两家公司都认为,MRAM不仅将是闪存的理想替代品,也是DRAM与SRAM的强有力竞争者。今年六月,英飞凌已将自己的第一款产品投放市场。与此同时,Freescale也正在加紧研发,力争推出4M bit芯片。

但是,一些评论者担心MRAM是否能达到闪存存储单元的尺寸。根据英飞凌的报告,闪存存储单元的尺寸为0.1µm²;,而16M bit MRAM芯片仅达到1.42 µm²;。另外,MRAM的生产成本也是个不小的问题。

OUM

OUM(Ovonic Unified Memory Ovonyx标准化内存)

OUM是由Intel研发的,利用Ge、Sb与Te等化合物为材料制成的薄膜。OUM。OUM的写、删除和读的功能与CD-RW与DVD-RW相似。但CD/DVD使用激光来加热和改变称为硫系化合物(chalcogenides)的材料;而OUM则通过电晶体控制电源,使其产生相变方式来储存资料。

OUM的擦写次数为10的12次方,100次数据访问时间平均为200纳秒。OUM的速度比闪存要快。尽管OUM比MRAM的数据访问时间要慢,但是低廉的成本却是OUM的致胜法宝。

与MRAM不同,OUM的发展仍处于初期。尽管已制成测试芯片,它们仅仅能用来确认概念而不是说明该技术的可行性。Intel在过去四年一直致力于OUM的研发,并正在努力扩大该市场。

闪存
闪存式U盘

总结

除了上文提到的MRAM和OUM,其它可替代的产品还有MRAM (FeRAM)、 Polymer memory (PFRAM)、 PCRAM、 Conductive Bridge RAM (CBRAM)、 Organic RAM (ORAM)以及最近的Nanotube RAM (NRAM)。替代闪存的产品有许多,但是哪条路能够成功,以及何时成功仍然值得怀疑。

对大多数公司而言,闪存仍是一个理想的投资。不少公司已决定加大对闪存的投资额。此外,据估计,到2004年,闪存总产值将与DRAM并驾齐驱,到2006年将超越DRAM产品。